000 01613nam a22003257a 4500
003 MN-UlNUM
005 20180824122515.0
008 141112t r ||||| |||| 00| 0 r d
082 _a530
084 _2other
_a22.379
_bА-13
_q2
100 _aАбдулаев Г.Б.
240 1 0 _a22.379 А-13
245 1 _aАтомная диффузия в полупроводниковых структурах
260 _bАтомиздат
_c1980
_aМ
300 _a280
500 _aЭШФ С-87076
546 _aRussia
653 _aфизика
653 _aтвердого тела
653 _aполупроводник
700 _aДжафаров Т.Д.
740 _aЗакономерности диффузии в полупроводниках
740 _aОсобенности диффузии в полупроводниковых структурах
740 _aМатематические основы диффузии в полупроводниковых структурах
740 _aМетоды исследования диффузии и дефекто-образования в полупроводниковых структурах
740 _aДиффузия и электроперенос в халькогенидных полупроводниках и структурах
740 _aДиффузия и дефекты в структурах на основе соединений А3В5
740 _aОсобенности диффузии в структурах на основе кремния и германия
942 _cBK
999 _c105553
_d105553